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Transphorm 利用第二款场效应晶体管加强900 V GaN产品

全新第三代硅基氮化镓场效应晶体管可为广泛的三相工业电源利用和汽车用转换器供给支持

加州戈利塔--(美国商业资讯)--最高靠得住性高电压(HV)氮化镓(GaN)半导体设计和制造领域的引导者Transphorm Inc.今日推出其第二款900 V场效应晶体管,即第三代TP90H050WS,从而增强了行业中独一的900 V GaN产品系列。今朝,这些器件使得三相工业系统和较高电压的汽车电子元器件能够充分使用氮化镓的速率、效率和功率密度。而且,该新场效应晶体管平台基于Transphorm上一代650伏产品,业界独逐一款同时经由过程JEDEC和AEC-Q101认证的HV GaN产品。是以,系统开拓职员在设计时可对其质量和靠得住性充溢信心。

TP90H050WS在1000伏的瞬态额定值下具备50兆欧的范例导通电阻,并采纳标准的TO-247封装。TP90H050WS在范例半桥布局下可达到8千瓦的功率等级,同时维持效率可高达99%以上。其品德因数Ron*Qoss(谐振开关拓扑)与Ron*Qrr(硬开关电桥拓扑)比常见超结技巧产品的品德因数低二至五倍,这意味着开关损耗将大年夜大年夜低落。虽然经由过程JEDEC认证的版本估计于2020年第一季度推出,而客户如今便能够设计出900 V GaN电源系统。

Transphorm的首个900伏器件 TP90H180PS具有170兆欧的范例导通电阻,采纳TO-220封装,经由过程JEDEC认证,自2017年以来经由过程得捷电子(Digi-Key)进行产品供应。该产品的峰值效率可达到99%,证实着实用于3.5千瓦的单相逆变器。

在新高压利用中确定氮化镓的可行性

Transphorm联合开创人兼首席运营官Primit Parikh表示:“Transphorm最新900 V 氮化镓产品标志着商用氮化镓功率晶体管的一个紧张里程碑,由于它率先在业界达到了1千伏特的目标。这为推动氮化镓产品在这些高压节点中成为一种可行的规划创造了前提。美国能源部先辈能源钻研计划署(ARPA-E)供给了部分资金,成功低落了早期阶段的风险,同时Power America在最初产品认证方面供给了赞助,这一举措表现了公私相助所取得的伟大年夜成功,加快了氮化镓的市场遍及进程。”

Transphorm 900V氮化镓平台为已成为公司650伏场效应晶体管的目标利用处合的种种系统供给更高水平的击穿电压,例如可再生能源、汽车及各类广泛的工业利用。该平台适用于采纳DC-DC转换器及逆变器中常用的无桥式图腾柱功率因数校对(PFC)半桥式设置设置设备摆设摆设进行支配。在高压下支持这些拓扑的能力扩大年夜了Transphorm的目标利用,今朝涵盖不间断电源和高电瓶电压节点下的汽车充电器或转换器等一系列广泛的三相工业利用。

PowerAmerica为该项目供给部分资金,其副履行董事兼首席技巧官Victor Veliadis表示:“900 V氮化镓功率器件突破了今朝不支持氮化镓半导体利用的技巧壁垒。凭借诸如900 V氮化镓平台之类的立异技巧,Transphorm正推动该行业赓续进步并创造了大年夜量新的客户时机。”

TP90H050WS除具有如前所述的差异化特点之外,还具备以下优点:

可应用现有的驱动器轻松驱动

靠得住的栅极安然裕度

功率密度高于现有的硅技巧

机能逾越IGBT、超结技巧

低落了系统总资源

减轻系统重量

供货

今朝处于样品供给阶段。欲订购零部件,请造访TP90H050WS产品页面。

设计资本

数据手册

TDINV3500P100-KIT 3.5kW 逆变器评估平台(TP90H180PS)

SPICE型号

利用设计支持

关于Transphorm

Transphorm致力于设计并制造最高机能、最高靠得住性的650伏与900伏氮化镓半导体。公司拥有1000多项专利,生财产界独一同时经由过程JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。

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Heather Ailara

211 Communications

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